MOSFET——結構
下圖是典型平面N溝道增強型MOSFET的剖面圖。它用一塊P型硅半導體材料作襯底，在其面上擴散了兩個N型區(圖lb)，再在上面覆蓋一層二氧化硅(SiO2)絕緣層(圖1c)，最后在N區上方用腐蝕的方法做成兩個孔，用金屬化的方法分別在絕緣層上及兩個孔內做成三個電極：G(柵極)、S(源極)及D(漏極)，如圖1d所示。
平面N溝道增強型MOSFET從圖1中可以看出柵極G與漏極D及源極S是絕緣的，D與S之間有兩個PN結。一般情況下，襯底與源極在內部連接在一起。
圖3是N溝道增強型MOSFET的基本結構圖。為了改善某些參數的特性，如提高工作電流、提高工作電壓、降低導通電阻、提高開關特性等有不同的結構及工藝，構成所謂VMOS、DMOS、TMOS等結構。圖2是一種N溝道增強型功率MOSFET的結構圖。雖然有不同的結構，但其工作原理是相同的，這里就不一一介紹了。